A variação da corrente directa ID no díodo semicondutor, em função da tensão directa VD aos seus terminais, tem uma forma quase exponencial. Uma boa aproximação para determinar a corrente ID é dada por: em que: ID - corrente directa no díodo; Is - corrente de saturação inversa (10^-9 a 10^-15 A) VT – tensão térmica (aprox. 25 mV à temperatura ambiente) q é a carga do electrão,(≈ 1,6 10-19 C) k a constante de Boltzman (≈ 1,38 10-23 J /K) T a temperatura absoluta em ºK VD a tensão aos terminais do díodo n - coeficiente de emissão do díodo (construção). Para díodos de silício para pequenas correntes é aproximadamente 2 Para díodos de silício para grandes correntes é aproximadamente 1. À temperatura ambiente (300 K ) tem-se VT aproximadamente igual a 25mV. Para traçar o gráfico correspondente à função IS vs VD, usámos uma calculadora gráfica considerando IS=1*10^(−11) e obtivemos a curva representada na figura 1 Fig. 1 - G...
Apontamentos de eletricidade e eletrónica